カーボンナノチューブ

  FPD

  化合物半導体

  歪みSi

トランジスタの高速化を可能にする技術、歪みSi。
堀場製作所グループは、歪みSi及びSiGeの評価装置でも世界最先端を走っています。膜厚及び屈折率(Ge濃度)の評価には分光エリプソメータ、歪みSiにはラマン分光測定装置をご用意しております。特にジョバンイボン社のラマン分光測定装置は、歪みSi評価用で圧倒的な納入実績を誇るほか、サブミクロンの実デバイスのストレス評価用として世界の最先端工場で採用が開始されています。
詳細な技術的内容につきましては、当社までお問い合わせください。